該測(cè)試設(shè)備適用于IGBT、SiC MOSFET、GaN、和Diode,可全面評(píng)估功率半導(dǎo)體器件的熱特性,幫助功率半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家與應(yīng)用廠家加速其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)速度。